Sáng ngày 13/3/2026, Viện Công nghệ Thông tin (VNU-ITI), Đại học Quốc gia Hà Nội đã tiếp đón đoàn Giáo sư đến từ Southern University of Science and Technology (SUSTech) – một trường đại học nghiên cứu công lập kiểu mới tại Thâm Quyến, Trung Quốc. SUSTech được thành lập năm 2010 và bắt đầu hoạt động đào tạo từ năm 2012 với định hướng trở thành một trung tâm đào tạo và nghiên cứu chất lượng cao trong lĩnh vực khoa học, công nghệ và kỹ thuật. Buổi làm việc diễn ra với sự tham dự của các cán bộ nghiên cứu, giảng viên và người học của Viện Công nghệ Thông tin và Trường Đại học Công nghệ. Hai bên đã trao đổi về các định hướng hợp tác nghiên cứu trong các lĩnh vực công nghệ cao, đặc biệt là vi mạch bán dẫn, đóng gói tiên tiến và điện tử công suất – những lĩnh vực đang nhận được nhiều sự quan tâm trong bối cảnh phát triển mạnh mẽ của công nghệ bán dẫn và các hệ thống điện tử hiệu suất cao.
Trong khuôn khổ chuyến thăm, Viện Công nghệ Thông tin đã phối hợp tổ chức seminar khoa học với chủ đề “SiC Advanced Packaging and All-Copper Solutions” do GS. Huaiyu Ye (SUSTech) trình bày. Seminar thu hút sự quan tâm của nhiều nhà nghiên cứu, giảng viên và nghiên cứu sinh trong lĩnh vực điện tử, vật liệu và công nghệ bán dẫn. Trong bài trình bày, GS. Huaiyu Ye đã giới thiệu những tiến bộ mới trong công nghệ đóng gói cho các linh kiện bán dẫn công suất sử dụng Silicon Carbide (SiC) – một loại bán dẫn vùng cấm rộng đang được xem là vật liệu chủ chốt cho thế hệ điện tử công suất tiếp theo. So với silicon truyền thống, SiC có khả năng dẫn nhiệt tốt hơn, hoạt động ở nhiệt độ cao hơn và cho hiệu suất chuyển đổi năng lượng vượt trội. Những ưu điểm này cho phép giảm tới 50% thể tích module công suất và giảm hơn 80% tổn hao trong quá trình chuyển đổi điện năng.
Tuy nhiên, theo GS. Ye, một thách thức lớn hiện nay là các kiến trúc đóng gói truyền thống chưa thể khai thác đầy đủ tiềm năng của vật liệu SiC. Các công nghệ đóng gói hiện tại thường bị giới hạn bởi khả năng chịu nhiệt dưới 150°C và tồn tại các yếu tố bất lợi như điện cảm ký sinh trong quá trình chuyển mạch tốc độ cao. Để khắc phục hạn chế này, nhóm nghiên cứu đã đề xuất giải pháp kết nối hoàn toàn bằng đồng (All-Copper Interconnect Solution). Giải pháp này sử dụng công nghệ thiêu kết nano đồng có hỗ trợ áp lực, tạo ra các giao diện kết nối kim loại bền vững với cấu trúc tương tự vật liệu khối, có thể hoạt động ổn định ở nhiệt độ tiếp giáp trên 300°C. So với phương pháp thiêu kết bạc truyền thống, giải pháp nano đồng cho thấy độ bền cơ học cao hơn và khả năng ổn định điện hóa tốt hơn.
Bên cạnh đó, nhóm nghiên cứu cũng phát triển kiến trúc đóng gói không sử dụng dây bonding và tích hợp làm mát hai mặt, giúp giảm đáng kể điện cảm ký sinh và hạn chế hiện tượng quá áp trong quá trình chuyển mạch tần số cao. Hệ thống kim loại đồng đồng nhất còn giúp giảm ứng suất nhiệt cơ do sự khác biệt hệ số giãn nở nhiệt giữa các vật liệu trong module, từ đó tăng tuổi thọ chu kỳ công suất lên tới mười lần so với các thiết kế truyền thống. Những giải pháp công nghệ này được đánh giá là có ý nghĩa quan trọng đối với các ứng dụng điện tử công suất hiệu suất cao, đặc biệt trong bộ biến tần cho xe điện (EV traction inverters) và các hệ thống điện của tàu cao tốc, nơi yêu cầu khả năng hoạt động ở nhiệt độ cao, độ tin cậy lớn và hiệu suất chuyển đổi năng lượng tối ưu.
Buổi seminar đã mang lại nhiều thông tin khoa học cập nhật và mở ra những cơ hội trao đổi học thuật giữa các nhà nghiên cứu của Viện Công nghệ Thông tin và các chuyên gia từ SUSTech, góp phần thúc đẩy hợp tác quốc tế trong lĩnh vực công nghệ bán dẫn và điện tử công suất trong thời gian tới.
GS. Huaiyu Ye hiện là Giáo sư và Senior Researcher tại Southern University of Science and Technology. Ông nhận bằng Cử nhân tại Đại học Giao thông Thượng Hải (Shanghai Jiao Tong University) và bằng Thạc sĩ, Tiến sĩ tại Đại học Công nghệ Delft (Hà Lan). Trước khi gia nhập SUSTech, ông từng làm việc tại Materials innovation institute (M2i) và Tổ chức Nghiên cứu Khoa học Ứng dụng Hà Lan (TNO) tại châu Âu, cũng như Đại học Trùng Khánh (Trung Quốc). GS. Ye là thành viên của nhiều tổ chức học thuật quốc tế trong lĩnh vực điện tử công suất và bán dẫn vùng cấm rộng, trong đó có Ủy ban xây dựng IEEE International Technology Roadmap for Wide Bandgap Power Semiconductors (ITRW). Hướng nghiên cứu của ông tập trung vào công nghệ đóng gói bán dẫn tiên tiến, vật liệu bán dẫn mới, vật liệu đóng gói, kết nối toàn đồng cho điện tử công suất và cơ chế thiêu kết nano kim loại. Đến nay, ông đã tham gia và chủ trì hơn 20 dự án nghiên cứu tại Trung Quốc và châu Âu, công bố hơn 100 bài báo khoa học và đăng ký hơn 160 bằng sáng chế.
